高功率应用以及客户日益严苛的要求给金属陶瓷基板的可靠性、耐热性能和使用寿命带来了巨大的考验。电子元件的热疲劳和机械疲劳主要是由连续开/关的反复循环而引起的。为了提高可靠性，工程师必须确定材料性能与属性之间的合理组合。
氮化硅（Si3N4）具有优异的机械性能（兼顾高弯曲强度和高断裂韧度）和高导热率（＞80 W/m∙K）。Si3N4的出色机械强度有助于钎焊较厚的铜层（高达1000 μm），从而提供额外的热容来抵消负荷峰值。因此，基板已经无法再适用于某些应用了。
AMB-Si3N4基板结合机械鲁棒性具有优异的散热特性和超高的功率密度。性能和可靠性可以通过银浆烧结、Die Top系统（DTS®）和铜丝键合技术来实现。这种设置还有助于更好的利用宽带隙（WBG）半导体（SiC和GaN）的全部潜力。
我们可以针对您的具体需求，基于贺利氏广泛的产品系列确定材料组合：金属陶瓷基板与基于贺利氏的烧结、焊接和键合解决方案而优化的多功能表面。