Advanced ceramic coating solutions

Moderne Lösungen für keramische Beschichtungen

Die Nachfrage nach modernsten Bauteilen für die Verwendung in Halbleiter-Epitaxie-Prozessen und MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition, metallorganische Gasphasenabscheidung)-Prozessen ist in den letzten Jahren gestiegen.

Heraeus liefert maßgeschneiderte Lösungen für die keramische Beschichtung, die in den anspruchsvollsten Umgebungen herausragende Leistungen bieten. Mit unseren Lösungen profitieren unsere Kunden von ausgezeichneten Wärmeeigenschaften, die eine lange Lebensdauer und geringere Kosten garantieren.

Außer Halbleiter- und LED-Anwendungen gibt es in der Leistungselektronik und der modernen wissenschaftlich orientierten Industrie weitere Anwendungen für moderne Keramikbeschichtungslösungen.

Für weitere Informationen über moderne Lösungen für keramische Beschichtungen kontaktieren Sie bitte unsere Experten.

Semiconductor Applications

Die Epitaxie ist einer der Schlüsselprozesse bei der modernen Halbleiterverarbeitung. Mit Lösungen für die CVD-SiC-Beschichtung von Graphit profitieren unsere Kunden von einer Vielzahl an Vorteilen:

  • Hohe Leistung dank langer Lebensdauer und hochmodernen Herstellungsprozessen
  • Hervorragende Gleichförmigkeit dank eigenentwickelter CVD-Systeme und automatisierter Prozessteuerungen
  • Stabiles Substrat, das auch extrem volatilen Umgebungen standhält
  • Stöchiometrisch ausgeglichene Beschichtungen bieten beispiellose Leistung und Widerstandskraft
  • Hoch resistent gegenüber den meisten Chemikalien, einschließlich Ätzmitteln und Säuren
LED Applications

Neben Suszeptoren in Epitaxie-Anwendungen ist SiC-beschichtetes Graphit für die Verwendung in Wafer-Trägern das wichtigste Verbrauchsmaterial in MOCVD-Reaktoren für die LED-Herstellung. Mit unseren Lösungen für SiC-beschichtetes Graphit profitieren unsere Kunden von mehreren einzigartigen Vorteilen bei der Herstellung von LEDs:

  • Stabiles Substrat, das auch extrem volatilen Umgebungen standhält
  • Spezielle Bearbeitungs- und Herstellungstechniken liefern hoch genaue und zuverlässige Suszeptoren.
  • Die branchenführende Gleichförmigkeit unserer SiC-Beschichtungen führt zu dramatischen Verbesserungen bei der Temperaturregelung, von Wafer zu Wafer
  • Technischer Support von hoch angesehenen Branchenprofis
  • Anerkannte Führerschaft bei der GaN-auf-Si-, GaN-auf-Al2O3- und GaN-auf-SiC-Prozessentwicklung
SiC Morphology
SiC Morphology

Mit unserer hochmodernen SiC-Technologie und unserem einzigartigen Herstellungsverfahren können wir intelligente Antworten auf individuelle Probleme liefern. Im Folgenden finden Sie einige Merkmale der Technologie.

  • Eigenentwickelte Ausgangsstoffe bieten Langlebigkeit und stöchiometrischen Ausgleich
  • Lösungen für beispiellose Wachstumsraten (ca. 1 Promille pro Stunde)
  • Automatisierung ermöglicht außergewöhnliche Gleichförmigkeit
  • Copy Exact-konform
  • Pinhole-freie, zweistufige Beschichtung für lange Lebensdauer
  • In Reinraum der Klasse 10K verarbeitet
  • Reinheit bis zu < 3 ppm
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