表面加熱・瞬間加熱用キセノン・フラッシュランプ

表面加熱・瞬間加熱には波長700nm以上の赤外線が必要になります。キセノン・フラッシュランプ(キセノンランプ)は、UVからIR光までの160nm〜1000nmの広帯域スペクトルにわたって幅広いスペクトル出力があり、高出力のパルスを1秒以下の短いパルス幅で発光することができます。このため、1 秒以下の瞬間で、例えば表面またはコーティングの硬化、加熱またはアニーリングなど、加熱物の表面温度を一気に高温まで上昇させる処理で使用することができます。

キセノンフラッシュランプの発光スペクトル

またフラッシュランプは、連続またはパルス光源として動作することができ、パルス形状、持続時間または電流密度を変更することで、目的の波長範囲の出力を最大化し、最適なプロセス結果を達成できます。

フラッシュランプ技術、システム設計、電気、エネルギー密度の均一性など、ヘレウスは表面加熱、瞬間加熱などの用途に最も効果的なカスタマイズソリューションをご提供いたします。

キセノンフラッシュランプは銅インクを高速にかつ効率的に焼結します。高い導電性と安定的な電子回路は、温度感受性基材にダメージを与えることなく形成することができます。

2017年LOPEC(オーガニック&プリント・エレクトロニクス産業国際見本市・会議)でご紹介した導入事例をご紹介いたします。

ヘレウスのキセノンフラッシュランプの利点

  • UVからIRまでの発光スペクトル
  • 高いピークパルス電力 - Megawatt/cm2 (MW)
  • 短いパルス持続時間 - マイクロ秒 (us)
  • 速い繰り返し率 - キロヘルツ (kHz)
  • インスタントOn / Off サイクル
  • 低温基材上の高温プロセス
  • エネルギーモニター内臓
  • 容易なランプ交換
  • 最適なエネルギーのためのQRC©リフレクター
  • 高いスループット
  • 大面積照射可能
  • フレキシブルなオペレーティング・ソフト
  • 外部システムへの取り付け可能
  • 無害 (水銀フリー)

アプリケーション

プリンテッドエレクトロニクス
  • 金属酸化物の焼結
  • 急速加熱プロセス (RTP)
  • フラッシュランプアニーリング (FLA)
  • 太陽電池セルやモジュール試験
  • 硬化
  • 殺菌
  • 半導体プロセス

キセノン・フラッシュランプの特徴を活かした他の表面加熱・瞬間加熱用途:

  • 加熱物の表面だけを短時間で加熱する場合
  • 加熱物の表面だけを一気に数百度まで上昇させる場合
  • 薄いフィルムやフィルム状のコーティングを加熱する場合
  • 1 秒以下という短時間での加熱が必要な場合
  • 加熱が必要な場所や物の周りに熱影響を及ぼしたくない場合
  • 加熱後の冷却時間を短縮し、生産性を上げたい場合
  • 加熱時以外はランプを消して省エネルギーを実現したい場合
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